功率放大器在超聲霧化熱解法納米薄膜制備當(dāng)中應(yīng)用
功率放大器是一種可在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載的放大器，其應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛，從生物醫(yī)療、電磁驅(qū)動(dòng)，到材料測(cè)試、水聲測(cè)試，都離不開(kāi)它的加持。其中，功率放大器在超聲測(cè)試領(lǐng)域的超聲霧化研究中，也有著良好應(yīng)用，今天Aigtek安泰電子就帶大家了解一下功率放大器在超聲霧化熱解法納米薄膜制備當(dāng)中應(yīng)用。
針對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體粉料和金屬粉料蒸發(fā)溫度低的特點(diǎn),設(shè)計(jì)并制作了新型低溫輻射式薄膜加熱蒸發(fā)器,通過(guò)對(duì)有機(jī)粉料的蒸發(fā)及濺射時(shí)樣片襯底的加熱實(shí)驗(yàn)，取得了良好效果,通過(guò)觀測(cè)裝置,可以觀測(cè)到，薄膜監(jiān)控測(cè)厚儀未能反映出的10納米薄膜厚度。其制作成本低，加熱效率高，同時(shí)又提高了設(shè)備功效;是一種多功能輻射式加熱器，在物理教學(xué)和相關(guān)的科研生產(chǎn)中有著廣泛的應(yīng)用前景。
在真空中使固體表面(基片)上沉積一層金屬、半導(dǎo)體或介質(zhì)薄膜的工藝通常稱為真空鍍膜。早在19世紀(jì)，英國(guó)的Grove和德國(guó)的Plucker相繼在氣體放電實(shí)驗(yàn)的輝光放電壁上觀察到了濺射的金屬薄膜，這就是真空鍍膜的萌芽。后于1877年將金屬濺射用于鏡子的生產(chǎn)；1930年左右將它用于Edison唱機(jī)錄音蠟主盤(pán)上的導(dǎo)電金屬。以后的30年，高真空蒸發(fā)鍍膜又得到了飛速發(fā)展，這時(shí)已能在實(shí)驗(yàn)室只制造單層反射膜、單層減反膜和單層分光膜，并且在1939年由德國(guó)的Schott等人鍍制出金屬的Fairy-Perot干涉濾波片，1952年又做出了高峰值、窄寬度的全介質(zhì)干涉濾波片。真空鍍膜技術(shù)歷經(jīng)一個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展，目前已廣泛用于電子、光學(xué)、磁學(xué)、半導(dǎo)體、無(wú)線電及材料科學(xué)等領(lǐng)域，成為一種不可缺少的新技術(shù)、新手段、新方法。
納米薄膜沉積制備
透明導(dǎo)電氧化物（TCO）薄膜涂層，例如氧化銦錫（ITO）、摻鋁氧化鋅（AZO）、氧化鋅（ZnO）和摻氟氧化物（FDO），通常使用超聲波噴霧熱解技術(shù)進(jìn)行沉積制備。這種獨(dú)特的工藝要求沉積系統(tǒng)可在高溫環(huán)境下噴涂腐蝕性溶液從而產(chǎn)生特定的涂層厚度和形貌。
在超聲波噴霧熱解過(guò)程中，鋁鋅氧化物等前驅(qū)體溶液被超聲波噴頭均勻霧化成微米級(jí)液滴，并在沉積在被加熱到300-500℃的高溫基材上。當(dāng)溶質(zhì)接觸高溫基材后便會(huì)迅速發(fā)生熱裂解反應(yīng)并在基材（例如鈉石灰或其他玻璃）表面生長(zhǎng)出ZnO晶體薄膜。基材襯底的溫度通常對(duì)于薄膜的形貌起著至關(guān)重要的作用。
離子束濺射沉積制備納米數(shù)量級(jí)的薄膜是在多功能離子束輔助沉積裝置上完成生長(zhǎng)的。這種裝置的本底真空度為0.02MPa,工作氣壓為6MPa。沉積陶瓷材料可以通過(guò)使用3.0KeV/100mA的Ar+離子束來(lái)濺射靶材沉積到襯底上,而沉積聚四氟乙烯材料需要使用較小的束流和束壓。沉積陶瓷材料時(shí)的速率為6nm/min,沉積金屬和聚四氟乙烯材料時(shí)的速率為12nm/min。
此外，超聲波噴涂技術(shù)也被視為一種有效的納米薄膜涂層制備工藝，可用于玻璃、金屬、陶瓷、塑料、聚合物等各種軟硬基材上的多種功能性納米薄膜的制備，諸如AR減反增透薄膜、親水及疏水涂層、納米銀線、碳納米管、石墨烯等透明導(dǎo)電薄膜、TCO、量子點(diǎn)、鈣鈦礦等等。相比于傳統(tǒng)的空氣噴涂，超聲噴涂具有高精度的膜厚控制、高均勻度、飛濺少、4倍以上的原料利用率等顯著優(yōu)勢(shì)。而相比于真空蒸鍍、CVD等鍍膜工藝，超聲噴涂具有很高的性價(jià)比，特別是針對(duì)大面積的鍍膜，成本上更是大幅下降，因?yàn)槌晣娡勘灰暈橐环N全新的產(chǎn)業(yè)化納米薄膜涂層制備工藝。
帶寬：（-3dB）DC~100kHz
電壓：90Vp-p（±45Vp）
電流：18Ap
功率：810Wp
壓擺率：≥20V/μs
可程控
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